真空蒸發鍍膜和真空濺射鍍膜發展歷史、蒸發鍍、磁控濺鍍、離子鍍 

真空鍍膜的發展歷程：

19世紀可以說一直是處于探索和預研階段。探索者的艱辛在此期間得到充分體現。1805年, 開始研究接觸角與表面能的關系(Young)。1817年, 透鏡上形成減反射膜(Fraunhofer)。1839年, 開始研究電弧蒸發(Hare)。1852年, 開始研究真空濺射鍍膜(Grove;Pulker)。1857年, 在氮氣中蒸發金屬絲形成薄膜(Faraday;Conn)。 1874年, 報道制成等離子體聚合物(Dewilde;Thenard)。1877年,薄膜的真空濺射沉積研究成功(Wright)。1880年, 碳氫化合物氣相熱解(Sawyer;Mann)。1887年, 薄膜的真空蒸發(坩堝) (Nahrwold;Pohl;Pringsheim)。1896年, 開始研制形成減反射膜的化學工藝。1897年, 研究成功四氯化鎢的氫還原法(CVD); 膜厚的光學干涉測量法(Wiener)。

20世紀的前50年 1904年, 圓筒上濺射鍍銀獲得磚利(Edison)。 1907年, 開始研究真空反應蒸發技術(Soddy)。1913年, 吸附等溫線的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。1917年, 玻璃棒上濺射沉積薄膜電阻。1920年, 濺射理論的研究(Guntherschulzer)。1928年, 鎢絲的真空蒸發(Ritsehl,Cartwright等) 。1930年, 真空氣相蒸發形成超微粒子(Pfund)。1934年, 半透明玻璃紙上金的卷繞鍍(Kurz,Whiley); 薄膜沉積用的玻璃的等離子體清洗(Bauer,Strong)。1935年, 金屬紙電容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸發卷繞鍍膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛馬100英寸望遠鏡鏡面鍍鋁(Strong);光學透鏡上鍍制單層減反射膜(Strong,Smakula); 金屬膜生長形態的研究(Andrade,Matindale)。1937年, 使用鉛反射器的密封光束頭研制成功(Wright); 真空卷繞蒸發鍍膜研制成功(Whiley);

1937年磁控增強濺射鍍膜研制成功(Penning)。1938年, 離子轟擊表面后蒸發取得磚利(Berghaus)。1939年, 雙層減反射膜鍍制成功(Cartwright,Turner)。 1941年, 真空鍍鋁網制成雷達用的金屬箔。1942年, 三層減反射膜的鍍制(Geffcken); 同位素分離用的金屬離子源研制成功。1944年, 玻璃的電子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。1945年, 多層光學濾波器研制成功(Banning,Hoffman)。1946年, 用X射線法吸收法測量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英國Goodfellow公司成立。1947年,200英寸望遠鏡鏡面鍍鋁成功。1948年，美國國家光學實驗室（OCLI）建立；沉積粒子的真空快速蒸發（Harris，Siegel）；用光透過率來控制薄膜的厚度（Dufour）。1949年，非金屬膜生長形態的研究（Schulz）。 1950年，濺射理論開始建立（Wehner）；半導體工業開始起步；各種微電子工業開始起步；冷光鏡研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料裝飾膜開始出現（holland等）。

20世紀的后50年 薄膜技術獲得騰飛的50年。真空獲得、真空測量取得的進展是薄膜技術迅速實現產業化的決定性的因素。1952年，表面自動潔凈的濺射清洗方法研制成功；開始研究新的反應蒸發方法（Auwarter，Brinsmaid）；開始研究耐腐蝕的等離子體聚合物膜。 1953年，美國真空學會成立；以卷繞鍍膜的方法制成抗反射的薄膜材料（3M公司）。1954年，開始研制新型真空蒸發式卷繞鍍膜機（Leybold公司）。1955，薄膜沉積的電子束蒸發技術開始成熟（Ruhle）；開始提出介質的射頻濺射方法（Wehner）。

1956年，美國**臺表面鍍有金屬膜的汽車問世（Ford汽車公司）。1957年,真空鍍鎘方法被航空工業所接受; 研究光學膜的反應蒸鍍方法(Brismaid,Auwarter等); 美國真空鍍膜學會成立.1958年, 薄膜的外延生長技術研制成功(Gunther); 美國航空航天局(NASA) 成立.1959年, 磁帶鍍膜設備研制成功(Temescal公司).1960年, 聚合物表面等離子體活性沉積方法出現(Sharp,Schorhorm); 電推進器用離子源研制成功(Kauffman); 石英晶體膜厚測量儀研制成功.1961年, 低輻射率玻璃研制成功(Leybold公司); 開始研究元素的濺射產額(Laegried,Yamamura等).

1962年, 開始研究用于化學分析的濺射方法; 碳(Massey) 和金屬(Lucas) 的電弧氣相沉積; 研究作為清洗用的介質的射頻濺射方法(Stuart,Anderson等);Leybold公司的產品進入美國市場; 開始考慮元素的蒸氣壓(Hoenig).1963年, 開始研制部分暴露大氣的連續鍍膜設備(Charschan,Savach等); 離子鍍膜工藝研制成功(Mattox).1964年, 光生伏打薄膜的PECVD(等離子體增強化學氣相沉積) 方法研制成功(Bradley等).1965年, 偏壓濺射沉積方法研制成功(Maissel等); 薄膜的激光氣相沉積方法研制成功(Smith,Turner); 絕緣材料的射頻濺射沉積方法研制成功(Davidse,Anderson等); 脈沖激光沉積方法研制成功(Smith等); 醋酸纖維膜所用的多層真空金屬網帶膜研制成功(Galileo).1966年，核反應堆中的離子鍍鋁(Mattox等); 作為潤滑劑用的軟金屬的離子鍍膜研制成功(Spalvins); 附著性能好的陽光反射膜(3M公司).

1967年, 刀具上濺射鍍鉻成功(Lane);真空離子鍍膜方法取得磚利(Mattox); 三極濺射方法研制成功(Baun,Wan等); 高真空條件下，引爆膜的沉積(Mattox).1968年, 旋轉箱中，小型部件的離子鍍膜(Mattox,Klein), 這個方法后來在航天工業中叫做離子氣相沉積.1969年, 磁控濺射在半球形部件內部進行，多種滋控濺射源取得磚利(Mullay);Leybold公司的新型濺射鍍膜機問世；蒸發薄膜形態圖出版發行。

1970年，真空蒸發的空心陰極電子源研制成功（ULVAC公司）；高沉積速率多層光學鍍膜機研制成功（OCLI）；空心陰極離子鍍膜設備在日本出現（ULVAC公司）。1971年，用離子轟擊的方法在玻璃上鍍膜的公司在不少國家大量涌現；硬碳膜研制成功（Aisenberg等）；錐形部件內的磁控濺射方法取得磚利（Clarke）；任意位置的陽極電弧蒸發源出現（Snaper，Sablev）；蒸發過程中，活性氣體的等離子體激活（Heitman，Auwarter等）；鍍鋁的香煙包裝紙研制成功（Galileo）；使用電子束蒸發源的離子鍍膜設備出現（Chamber公司）。

1972年，粒子束團沉積方法研制成功（Tagaki）；采用離子槍的高真空濺射鍍膜設備出現（Weissmantel）；薄膜形態的同步轟擊效應的研究（mattox等）；細網上鍍膜的設備獲得廣泛應用。1973年，電鍍行業采用新型質優價廉的離子鍍膜設備（Bell公司）；等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）方法在平形板反應堆中應用（Reinberg）。1974年，超紫外—臭氧清洗技術出現（Sowell，Cuthrell等）；離子轟擊膜中壓縮應力的研究(Sowell,Cuthrell等); 平面磁控鍍膜技術取得磚利(Chapin).1975年，反應離子鍍膜技術研制成功(Murayama等); 柱狀陰極磁控濺射技術取得磚利(Penfold等); Ⅲ—Ⅴ族半導體材料的分子束外延（MBE）研制成功（Cho，Arthur）；交替式離子鍍膜技術研制成功（Schiller）；汽車車架上鍍鉻出現（Chevrolet）。1976年，離子槍用于沉積薄膜的同步轟擊（Weissmantel）。

1977年，中頻平面磁控反應濺射沉積法研制成功（Cormia等）；ITO膜的真空卷繞鍍研制成功（Sierracin，Sheldahl等）；幕墻玻璃在線濺射鍍膜設備研制成功（Airco Temescal公司）；濺射薄膜形態圖出版發行（Thornton等）；在細網上濺射加熱鍍鏡面膜（Chahroudi）。1978年，在細網上鍍制光衍射膜成功（Coburn公司）；可控電弧蒸發源研制成功（Dorodnov）；等離子體暗弧蒸發研制成功（Aksenov等）；窗用ITO膜濺射沉積方法研制成功（后來簡稱CP膜）；微彎柔性電路板問世（3M公司）。1979年，商用在線低輻射率玻璃鍍膜設備投入使用；濺射沉積網狀膜實現產業化（Cormia Chahroudi公司）；平面磁控陰極濺射取得磚利（BOCCT公司）；在線高沉積速率玻璃濺射鍍膜設備問世（Leybold公司）。